图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

EFC4618R-P-TR 

产品描述

MOSFET

内部编号

277-EFC4618R-P-TR

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:600000
5000+¥1.1387
最小起订量:5000
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:4990
1+¥3.5556
10+¥2.9607
100+¥1.8052
1000+¥1.3949
5000+¥1.1898
10000+¥1.1009
25000+¥1.0462
50000+¥0.9983
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#3

数量:205000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,1-3个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

EFC4618R-P-TR产品详细规格

规格书 EFC4618R-P-TR datasheet 规格书
封装 Reel
工厂包装数量 5000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 24 V
晶体管极性 N-Channel
封装/外壳 WLCSP-4
Qg - Gate Charge 25.4 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 12 V
下降时间 1770 ns
安装风格 SMD/SMT
品牌 ON Semiconductor
通道数 2 Channel
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
晶体管类型 2 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 6 A
Rds On - Drain-Source Resistance 23 mOhms
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 1840 ns
系列 EFC4618R
典型导通延迟时间 200 ns
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 1.6 W
上升时间 815 ns
技术 Si

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